具有高残余电阻率比的 SrRuO3/DyScO3(110) 薄膜中的增强 TC,APL Materials

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具有高残余电阻率比的 SrRuO3/DyScO3(110) 薄膜中的增强 TC
APL Materials ( IF 5.3 ) Pub Date : 2023-11-01 , DOI: 10.1063/5.0156344
Nathaniel J. Schreiber ₁ , Ludi Miao ₂ , Hari P. Nair ₁ , Jacob P. Ruf _{2,

3} , Lopa Bhatt ₄ , Yorick A. Birkholzer ₁ , George N. Kotsonis ₁ , Lena F. Kourkoutis _{4,

5} , Kyle M. Shen _{2,

5} , Darrell G. Schlom _{1,

5,

6}

Affiliation

通过分子束外延在（110）取向的 DyScO3 衬底上生长外延非孪晶 SrRuO3 薄膜。我们报告了一个特殊的样品，其残余电阻率比 (RRR) ρ [300 K]/ρ [4 K] 为 205，铁磁居里温度 TC 为 168.3 K。我们将该样品的性能与其他 SrRuO3 薄膜进行了比较在 DyScO3(110) 上生长，RRR 范围为 8.8 至 205，并将其与报道最好的 SrRuO3 块状单晶进行比较。我们确定，只要薄膜的 RRR 高于最小电气质量阈值，在 DyScO3(110) 上生长的 SrRuO3 薄膜就具有增强的 TC。对于 SrRuO3，该 RRR 阈值约为 20。RRR 较低的薄膜表现出的 TC 明显低于固有应变增强值。

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更新日期：2023-11-01

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