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五氧化二钒薄膜的XAS研究
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms ( IF 1.4 ) Pub Date : 2023-10-31 , DOI: 10.1016/j.nimb.2023.165148
K. Schneider , P. Nowak , T. Strączek , K. Raszka , A. Figura , J. Stępień , M. Rękas , Cz. Kapusta
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更新日期:2023-11-02
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms ( IF 1.4 ) Pub Date : 2023-10-31 , DOI: 10.1016/j.nimb.2023.165148
K. Schneider , P. Nowak , T. Strączek , K. Raszka , A. Figura , J. Stępień , M. Rękas , Cz. Kapusta
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在氧K和钒L 2,3边缘的 XANES 范围内,使用 X 射线吸收光谱研究了SiO 2玻璃和 Si 基板上溅射的200 nm VO x RF 磁控管薄膜。采用总电子产率(TEY)检测模式。在室温到 300 °C 之间的几个温度下收集非偏振和线偏振光束的光谱,以研究偏振效应。将实验数据与文献中基于DFT-ROCIS(密度泛函理论,受限开壳构型相互作用与单原子)的理论模型进行了比较。光谱随温度的变化,特别是在氧K边缘处可见,归因于表面氧的损失以及单、双和三钒配位氧的数量的相应变化。表面化学计量的相应降低导致形成低于V 5+价的钒离子,例如V 4+或V 3+,即含有d-电子。它对文献中归因于金属-绝缘体转变(MIT)的金属丰度的出现给出了初步解释。

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