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综合性能良好的低温固化光敏聚酰亚胺的制备策略
Chemical Engineering Journal ( IF 13.3 ) Pub Date : 2023-10-24 , DOI: 10.1016/j.cej.2023.146858 Shan Huang , Xialei Lv , Xingwang Lai , Jinhui Li , Yao Zhang , Siyao Qiu , Guoping Zhang , Rong Sun
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更新日期:2023-10-24
Chemical Engineering Journal ( IF 13.3 ) Pub Date : 2023-10-24 , DOI: 10.1016/j.cej.2023.146858 Shan Huang , Xialei Lv , Xingwang Lai , Jinhui Li , Yao Zhang , Siyao Qiu , Guoping Zhang , Rong Sun
低温固化光敏聚酰亚胺(PSPI)材料在先进封装领域引起了广泛关注,作为再分布层(RDL)中避免晶圆翘曲的关键绝缘介电材料。考虑到PSPI和铜共同构成核心RDL部分,需要关注PI和铜之间的粘附性以实现高可靠性。然而,对具有低温固化能力、改进的粘附力和优异的光刻性能等理想特性的新型二胺的探索受到限制。我们设计了一种具有含氟吡啶侧基的新型二胺,命名为PyFNH 2,有利于制备具有显着酰亚胺化程度(≥95.9%)的低温固化聚酰亚胺(200℃)。其次,吡啶侧基与铜之间的配位相互作用增强了粘附强度。第三,由于引入了负电性氟原子和刚性侧基,与不含 PyFNH 2 的对照薄膜相比,在 200 °C 下固化的 PI 薄膜表现出良好的介电性能。除此之外,PI薄膜还具有相当好的热性能和机械性能。值得注意的是,采用前体聚(酰胺酯)和 PyFNH 2 的负色调 PSPI已成功制备并在 200 °C 下固化,从而实现了线分辨率低至 3 µm 的精确光刻图案。我们的研究结果凸显了 PyFNH 2在光刻技术中的广阔应用潜力,为低温固化二胺的结构设计提供了可行的策略。
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