当前位置：
X-MOL 学术
›
Nano Lett.
›
论文详情
Our official English website, www.x-mol.net, welcomes your
feedback! (Note: you will need to create a separate account there.)
通过范德华电极层压和分层实现高度稳定的 HfO2 忆阻器
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2023-10-20 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.3c02888
Wei Tong 1 , Wei Wei 2 , Xiangzhe Zhang 3 , Shuimei Ding 1 , Zheyi Lu 1 , Liting Liu 1 , Wanying Li 1 , Chen Pan 4 , Lingan Kong 1 , Yiliu Wang 1 , Mengjian Zhu 3 , Shi-Jun Liang 2 , Feng Miao 2 , Yuan Liu 1
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2023-10-20 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.3c02888
Wei Tong 1 , Wei Wei 2 , Xiangzhe Zhang 3 , Shuimei Ding 1 , Zheyi Lu 1 , Liting Liu 1 , Wanying Li 1 , Chen Pan 4 , Lingan Kong 1 , Yiliu Wang 1 , Mengjian Zhu 3 , Shi-Jun Liang 2 , Feng Miao 2 , Yuan Liu 1
Affiliation
|
忆阻器在过去十年中引起了相当大的关注，为未来的神经形态计算带来了巨大的希望。然而，固有的稳定性差和器件变异性大仍然是实际应用的关键限制。在这里，我们报告了一种简单的方法来直接可视化稳定性差的根源。通过机械去除在不同状态（例如设置或重置）下工作的忆阻器的顶部电极，可以暴露忆阻层并通过导电原子力显微镜直接表征，从而提供忆阻器内的二维区域信息。基于该技术，我们观察了形成过程中多个导电细丝的存在，并建立了细丝数量和周期变化之间的物理模型。此外，通过范德华顶部电极提高界面质量，我们可以在所有开关周期内将灯丝数量减少到单个灯丝，从而实现可控的开关行为和可靠的器件运行。
"点击查看英文标题和摘要"
更新日期：2023-10-20
"点击查看英文标题和摘要"
京公网安备 11010802027423号