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Cubic-BaSnF4 中的动态孤对电子和氟离子无序

Journal of the American Chemical Society ( IF 14.4 ) Pub Date : 2023-10-16 , DOI: 10.1021/jacs.3c08232
Briséïs Mercadier 1, 2, 3 , Samuel W Coles 4, 5 , Mathieu Duttine 6 , Christophe Legein 7 , Monique Body 7 , Olaf J Borkiewicz 8 , Oleg Lebedev 9 , Benjamin J Morgan 4, 5 , Christian Masquelier 1, 3 , Damien Dambournet 1, 2
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在结晶固体电解质中引入成分或结构无序是提高其离子电导率的常见策略。(男,Sn)F2 萤石先前被认为在其阳离子宿主框架内表现出两种形式的无序:来自随机分布的 M 和 Sn 阳离子的职业障碍和来自 Sn(II) 立体活性孤对电子的定向障碍。在这里,我们结合使用实验和计算技术来表征立方 BaSnF4 的结构和氟离子动力学。X 射线衍射 (XRD) 数据的 Rietveld 精修证实了具有 {Ba,Sn} 阳离子无序的平均萤石结构,而 119Sn Mössbauer 光谱证明了立体活性 Sn(II) 孤对电子的存在。X 射线全散射 PDF 分析和从头到尾的分子动力学模拟揭示了一个复杂的局部结构,具有高度的固有氟离子无序,其中 1/3 的氟离子占据八面体“间隙”位点:这种氟离子无序是 Sn 孤对电子和氟离子之间排斥的结果,使 Sn 配位四面体氟离子位点不稳定。变温 19F NMR 实验和分子动力学模拟分析揭示了高度不均匀的氟离子动力学,富 Sn 局部环境中的氟离子比富 Ba环境中的氟离子移动性强。我们的模拟还揭示了 Sn 孤对电子的动力学重新取向,该取向受局部阳离子构型偏倚并与局部氟离子动力学耦合。最后,我们讨论了宿主框架无序对立方 BaSnF 中长程扩散途径的影响4




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更新日期:2023-10-16
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