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二维材料设计：在两个 VSe2 范德华层之间插入 Cr 或 Mn
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2023-10-11 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.3c03169 Vimukthi Pathirage 1 , Salma Khatun 1 , Sergey Lisenkov 1 , Kinga Lasek 1 , Jingfeng Li 1 , Sadhu Kolekar 1 , Manuel Valvidares 2 , Pierluigi Gargiani 2 , Yan Xin 3 , Inna Ponomareva 1 , Matthias Batzill 1
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2023-10-11 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.3c03169 Vimukthi Pathirage 1 , Salma Khatun 1 , Sergey Lisenkov 1 , Kinga Lasek 1 , Jingfeng Li 1 , Sadhu Kolekar 1 , Manuel Valvidares 2 , Pierluigi Gargiani 2 , Yan Xin 3 , Inna Ponomareva 1 , Matthias Batzill 1
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在层状过渡金属二硫属化物 (TMD) 之间插入金属层可以设计新的伪二维纳米材料。一般前提是各种金属原子可以在两个 TMD 片之间采用能量上有利的嵌入位点。这些共价结合的金属以亚稳态结构排列，从而能够以自下而上的方法控制纳米材料的合成。这里，通过在VSe 2层之间插入Cr或Mn来证明该方法。真空沉积的过渡金属随着浓度的增加在VSe 2层之间扩散，并以有序相排列。Cr 3+或Mn 2+离子处于八面体配位，因此处于高自旋状态。测量和计算的稀 Cr 原子磁矩很高，但随着 Cr 浓度的增加，平均磁矩降低，表明 Cr 离子之间存在反铁磁有序。过渡金属与 TMD 的多种可能组合形成了一个库，用于探索这些纳米材料中的量子现象。
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更新日期：2023-10-11
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