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基于二维铁电半导体α-In2Se3的内存计算和传感多功能平台
Advanced Functional Materials ( IF 18.5 ) Pub Date : 2023-10-06 , DOI: 10.1002/adfm.202306486
Xuan Li 1, 2 , Shuo Li 1 , Jiamin Tian 1 , Fengjiao Lyu 1 , Jianhui Liao 1 , Qing Chen 1, 2
Advanced Functional Materials ( IF 18.5 ) Pub Date : 2023-10-06 , DOI: 10.1002/adfm.202306486
Xuan Li 1, 2 , Shuo Li 1 , Jiamin Tian 1 , Fengjiao Lyu 1 , Jianhui Liao 1 , Qing Chen 1, 2
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具有优异的光与物质相互作用和原子级厚度的二维层状半导体被认为是超越摩尔和超越摩尔技术的有希望的候选者。在这里,首次报道了一种完全由无皱纹二维铁电半导体 α-In 2 Se 3制成的多功能平台,集成了光电探测器、可重构逻辑开关和视觉感知处理功能。与强度和波长相关的电阻用于将宽带光信息解调为电信号并执行可重新配置的逻辑切换。此外,该平台还提供像素级不同工作模式下的动态调制光敏视觉传感。使用光辅助压响应力显微镜,探索了光学工程铁电极极化开关行为。该平台对光和电刺激都具有优异的灵敏度,在栅极电压调制下可以以挥发性/非挥发性方式响应可见光到短波长红外区域的光,响应达到98 mA W −1(至1800 nm)光),电流开/关比超过10 6,场效应迁移率高达137.55 cm 2 V -1 s -1。该平台凭借其简单的结构、独特的光电交互和可控的操作机制,有可能简化神经形态计算电路系统的复杂性,为适合人工智能应用的高性能混合技术铺平道路。
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更新日期:2023-10-06

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