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蚀刻工艺对 Ti3C2TX MXene 红外发射率性能的影响：对红外隐形的影响
ACS Applied Nano Materials ( IF 5.3 ) Pub Date : 2023-10-04 , DOI: 10.1021/acsanm.3c03664 Jingxuan Cui 1, 2 , Jiao Wu 1, 2 , Le Mi 1 , Aihu Feng 1 , Yang Yu 1 , Yun Yu 1, 2
ACS Applied Nano Materials ( IF 5.3 ) Pub Date : 2023-10-04 , DOI: 10.1021/acsanm.3c03664 Jingxuan Cui 1, 2 , Jiao Wu 1, 2 , Le Mi 1 , Aihu Feng 1 , Yang Yu 1 , Yun Yu 1, 2
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Ti 3 C 2 T x MXene有望通过调节其热辐射特性来实现红外隐身。本研究采用酸刻蚀法制备了Ti 3 C 2 T x MXene薄膜，研究了刻蚀剂（HCl/LiF、HF、NH 4 HF 2）对薄膜结构及红外辐射性能的影响。进行了系统的研究。研究发现，用于剥离单层/多层纳米片的插层过程会加速氧化并增加 MXene 的电阻。详细解释了这些对发射率影响背后的机制。基于这些发现，选择了最合适的低发射率 MXene 制备工艺。所得的 Ti 3 C 2 T x薄膜（HL-f）使用 HCl/LiF 作为 Ti 3 AlC 2的蚀刻剂，具有 3119 S/cm 的高电导率，可反射大量到达其表面的红外波，同时表现出较低的电导率。发射率仅为0.13。以HCl/LiF作为蚀刻剂制成的胶体溶液（HL-s）直接喷涂到PI基材上作为具有红外隐身能力、热稳定性和焦耳热特性的涂层，将发射率从0.87降低到0.14。该工作为改进MXene制备方法及其在相关领域的应用提供了指导，同时展示了HCl/LiF蚀刻Ti 3 C 2 T x MXene作为低发射率红外隐身材料的巨大潜力。
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更新日期：2023-10-04
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