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基于横向 MoTe2 1T-2H-1T 同质结的宽带光电探测器
The Journal of Physical Chemistry C ( IF 3.3 ) Pub Date : 2023-10-02 , DOI: 10.1021/acs.jpcc.3c05592
Yang Ding 1 , Renxian Qi 1 , Chenglin Wang 1 , Qianqian Wu 1 , Haozhe Zhang 1 , Xiumei Zhang 2 , Liangliang Lin 3 , Zhengyang Cai 1 , Shaoqing Xiao 1 , Xiaofeng Gu 1 , Haiyan Nan 1
The Journal of Physical Chemistry C ( IF 3.3 ) Pub Date : 2023-10-02 , DOI: 10.1021/acs.jpcc.3c05592
Yang Ding 1 , Renxian Qi 1 , Chenglin Wang 1 , Qianqian Wu 1 , Haozhe Zhang 1 , Xiumei Zhang 2 , Liangliang Lin 3 , Zhengyang Cai 1 , Shaoqing Xiao 1 , Xiaofeng Gu 1 , Haiyan Nan 1
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二维（2D）层状二碲化钼（MoTe 2）纳米片在电子器件中的应用可以通过将其电极转变为金属相来增强，形成1T-2H-1T异质结构。然而，这导致电极和通道之间形成结，这会降低装置的效率。为了解决这个问题，本文提出了一种利用氧气温和等离子体制备来制造1T-2H-1T MoTe 2光电器件的新方法。透射电子显微镜测试和第一原理计算证实，这种处理会导致一些Te原子的损失，从而降低它们的能带并产生金属特性。在不同温度和波长下的电学和光电性能测试表明，其迁移率和响应度得到了改善，在940 nm激光照射下最大迁移率达到30 cm 2 /V s，响应度达到0.6 A/W，比传统材料提高了25倍。内在的一。这项研究为使用二维材料精确且无损地制造光电器件提供了一种有效的相工程技术。
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更新日期：2023-10-02
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