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用于 H2/CO2 分离的聚硅氧烷氧等离子体处理合成的超薄聚有机硅膜
Journal of Membrane Science ( IF 8.4 ) Pub Date : 2023-09-26 , DOI: 10.1016/j.memsci.2023.122099
Vinh Bui , Varun R. Satti , Elizabeth Haddad , Leiqing Hu , Erda Deng , Lingxiang Zhu , Won-Il Lee , Yifan Yin , Kim Kisslinger , Yugang Zhang , Thomas T. Bui , B. Medini Rajapakse , Luis Velarde , Chang-Yong Nam , Haiqing Lin
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更新日期:2023-09-26
Journal of Membrane Science ( IF 8.4 ) Pub Date : 2023-09-26 , DOI: 10.1016/j.memsci.2023.122099
Vinh Bui , Varun R. Satti , Elizabeth Haddad , Leiqing Hu , Erda Deng , Lingxiang Zhu , Won-Il Lee , Yifan Yin , Kim Kisslinger , Yugang Zhang , Thomas T. Bui , B. Medini Rajapakse , Luis Velarde , Chang-Yong Nam , Haiqing Lin
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聚二甲基硅氧烷 (PDMS) 的氧等离子体处理可在 PDMS 膜顶部形成超薄的聚有机二氧化硅 (POSi) 层(<10 nm),从而实现优异的 H 2 /气体分离性能,并提供一种快速且可扩展的方法来制造坚固的二氧化硅膜(相比之下)与传统的高温且耗时的溶胶-凝胶方法相比。在这里,我们彻底研究了含有 -SiOH 基团的聚(二甲基硅氧烷-共-甲基羟基硅氧烷)(聚(DMS-共-MHOS))衍生的 POSi 膜,该膜比 -SiCH 3更容易转化为二氧化硅网络在PDMS中。系统确定聚硅氧烷结构和等离子体处理条件(包括等离子体发生功率、氧气流量、腔室压力和处理时间)对二氧化硅化学、结构和H 2 /CO 2 分离性能的影响,以得出结构/性能关系。优化的膜在 150 °C 时表现出 880 GPU 的 H 2渗透性和 67 的 H 2 /CO 2选择性,优于最先进的聚合物膜。膜保留 H 2 /CO 2当在 150 °C 下用含有 2.8 mol% 水蒸气的模拟合成气进行挑战时,选择性高达 46,这证明了这些 POSi 膜在实际应用中的潜力。

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