通过控制前驱体相降低 MOCVD 生长的 MoS2 的缺陷密度,ACS Applied Materials & Interfaces

当前位置： X-MOL 学术 › ACS Appl. Mater. Interfaces › 论文详情

Our official English website, www.x-mol.net, welcomes your feedback! (Note: you will need to create a separate account there.)

通过控制前驱体相降低 MOCVD 生长的 MoS2 的缺陷密度
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2023-09-27 , DOI: 10.1021/acsami.3c09027
Larionette P L Mawlong ₁ , Anh Tuan Hoang ₁ , Jyothi Chintalapalli ₁ , Seunghyeon Ji ₁ , Kihyun Lee _{2,

3} , Kwanpyo Kim _{2,

3} , Jong-Hyun Ahn ₁

Affiliation

大面积、高质量二维过渡金属二硫属化物（例如MoS _{2 ）}的合成进展在未来电子和光电器件的发展中发挥着至关重要的作用。_{MoS 2}中硫空位形成的缺陷的存在导致低光致发光发射并赋予高n型掺杂行为，从而显着影响材料质量。在此，我们报告了一种新方法，其中单相（液体）前驱体用于 MoS ₂薄膜的金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长。此外，我们制造了一种高性能光电探测器（PD），与传统 MOCVD 方法制造的 PD 相比，在 405-637 nm 光谱范围内实现了更高的光响应性和更快的光响应。此外，由于MoS _{2晶格中S空位缺陷数量的减少，所制造的MoS}₂薄膜在正栅极偏压方向上表现出阈值电压偏移。_{因此，我们的方法显着改进了单层MoS 2}的合成，并且可以扩大高质量、原子薄材料在大型电子和光电器件中的应用范围。

"点击查看英文标题和摘要"

更新日期：2023-09-27

点击分享查看原文

点击收藏

阅读更多本刊新发论文本刊介绍/投稿指南