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基于WSe2/PdSe2断隙异质二极管的高性能长波红外光电探测器
Nanoscale ( IF 5.8 ) Pub Date : 2023-09-26 , DOI: 10.1039/d3nr03248e
Suofu Wang 1 , Yajie Bai 1 , Mingli Liu 1 , Xiaolan Zong 2 , Wenhui Wang 3 , Qingge Mu 1 , Tao Han 1 , Feng Li 1 , Shaoliang Wang 1 , Lei Shan 1 , Mingsheng Long 1
Nanoscale ( IF 5.8 ) Pub Date : 2023-09-26 , DOI: 10.1039/d3nr03248e
Suofu Wang 1 , Yajie Bai 1 , Mingli Liu 1 , Xiaolan Zong 2 , Wenhui Wang 3 , Qingge Mu 1 , Tao Han 1 , Feng Li 1 , Shaoliang Wang 1 , Lei Shan 1 , Mingsheng Long 1
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层状窄带隙准二维（2D）过渡金属二硫化物（TMD）在长波红外（LWIR）检测中表现出优异的性能。然而，由于使用单一窄带隙材料制造的器件的高暗电流导致的低光开/关比和比探测率（D *）阻碍了其广泛应用。在此，我们报道了一种III型破隙能带排列WSe 2 /PdSe 2范德华（vdW）异质结构。该异质二极管器件具有显着低的暗电流，并在可见光范围内表现出55.3 AW -1的高光响应度( R )和>10 5的高光开/关比。值得注意的是，WSe 2 /PdSe 2异质二极管表现出优异的非制冷长波红外响应，R为~0.3 AW -1，低噪声等效功率（NEP）为4.5 × 10 -11 W Hz -1/2，以及高D * 为1.8×10 8 cm Hz 1/2 W -1。这项工作为设计高性能室温运行长波红外光电探测器提供了一种新方法。
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更新日期：2023-09-26
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