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具有可调晶相结构的 CdS:可控制备和增强的光催化性能
Research on Chemical Intermediates ( IF 2.8 ) Pub Date : 2023-09-21 , DOI: 10.1007/s11164-023-05142-z
Na Qin , Linqiang Li , Haoran Zheng , Qingxue Cui

CdS 的晶体结构影响能带隙,因此影响其作为太阳能到氢能转换的半导体光催化剂的适用性。通过简单调节水热反应温度,制备出不同晶相的CdS样品,并测试其光催化产氢性能,探讨立方CdS的光催化机理。XRD结果证实了两种催化剂的制备成功。TEM结果表明,(111)和(100)晶面对应于两种催化剂的立方和六方CdS结构。立方相和六方相CdS的带隙值分别为2.24eV和2.17eV。电化学阻抗谱结果表明,立方CdS具有较小的圆弧半径和较低的电阻。根据莫特-肖特基图进一步计算了两个 CdS 相的传导电势,发现立方 CdS 的传导电势比六方 CdS 的传导电势更负。因此,立方CdS比六方CdS表现出更高的载流子迁移速率和电荷分离效率;立方CdS在可见光照射下的光催化产氢量达到680 µL,明显高于六方CdS。这项研究可以为CdS基材料在可见光驱动的析氢领域的潜在应用的开发提供指导,并为其他高性能CdS/半导体复合材料的制造铺平道路。揭示立方 CdS 的传导电势比六方 CdS 的传导电势更负。因此,立方CdS比六方CdS表现出更高的载流子迁移速率和电荷分离效率;立方CdS在可见光照射下的光催化产氢量达到680 µL,明显高于六方CdS。这项研究可以为CdS基材料在可见光驱动的析氢领域的潜在应用的开发提供指导,并为其他高性能CdS/半导体复合材料的制造铺平道路。揭示立方 CdS 的传导电势比六方 CdS 的传导电势更负。因此,立方CdS比六方CdS表现出更高的载流子迁移速率和电荷分离效率;立方CdS在可见光照射下的光催化产氢量达到680 µL,明显高于六方CdS。这项研究可以为CdS基材料在可见光驱动的析氢领域的潜在应用的开发提供指导,并为其他高性能CdS/半导体复合材料的制造铺平道路。立方CdS比六方CdS表现出更高的载流子迁移速率和电荷分离效率;立方CdS在可见光照射下的光催化产氢量达到680 µL,明显高于六方CdS。这项研究可以为CdS基材料在可见光驱动的析氢领域的潜在应用的开发提供指导,并为其他高性能CdS/半导体复合材料的制造铺平道路。立方CdS比六方CdS表现出更高的载流子迁移速率和电荷分离效率;立方CdS在可见光照射下的光催化产氢量达到680 µL,明显高于六方CdS。这项研究可以为CdS基材料在可见光驱动的析氢领域的潜在应用的开发提供指导,并为其他高性能CdS/半导体复合材料的制造铺平道路。





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更新日期:2023-09-22
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