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采用界面工程的高响应度和宽带 MoS2 光电探测器
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2023-09-20 , DOI: 10.1021/acsami.3c09322 Chenglin Wang 1 , Qianqian Wu 1 , Yang Ding 1 , Xiumei Zhang 2 , Wenhui Wang 3 , Xitao Guo 4 , Zhenhua Ni 3 , Liangliang Lin 5 , Zhengyang Cai 1 , Xiaofeng Gu 1 , Shaoqing Xiao 1 , Haiyan Nan 1
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2023-09-20 , DOI: 10.1021/acsami.3c09322 Chenglin Wang 1 , Qianqian Wu 1 , Yang Ding 1 , Xiumei Zhang 2 , Wenhui Wang 3 , Xitao Guo 4 , Zhenhua Ni 3 , Liangliang Lin 5 , Zhengyang Cai 1 , Xiaofeng Gu 1 , Shaoqing Xiao 1 , Haiyan Nan 1
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将MoS 2与成熟的硅技术相结合是制备高性能光电探测器的有效方法。然而，先前研究的MoS 2 /硅基异质结光电探测器不能同时表现出高响应率、快速响应时间和宽光谱检测。我们构建了宽光谱n型MoS 2 /p型硅基异质结光电探测器。采用软等离子体对硅衬底上的SiO 2介质层进行预处理，改变其厚度和表面状态。预处理后的SiO 2介质层与硅衬底构成具有高载流子浓度和响应度的多层异质结构。以硅基和n型MoS 2异质结光电探测器为例，其响应度在637 nm波长下可达4.05 × 10 4 AW 1–，功率密度为2 μW mm –2，可检测光谱范围为447至 1600 纳米。该预处理衬底被证明适用于其他n型TMDC，如MoTe 2、ReS 2等，具有一定的通用性。
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更新日期：2023-09-20
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