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研究缺铜 CuInP2S6 中相分离域之间的应变
Chemistry of Materials ( IF 7.2 ) Pub Date : 2023-09-18 , DOI: 10.1021/acs.chemmater.3c01238
Rahul Rao 1 , Ryan Selhorst 1, 2 , Jie Jiang 1 , Benjamin S. Conner 3, 4 , Ryan Siebenaller 5 , Emmanuel Rowe 1, 4, 6, 7, 8 , Andrea N. Giordano 1, 4 , Ruth Pachter 1 , Michael A. Susner 1
Chemistry of Materials ( IF 7.2 ) Pub Date : 2023-09-18 , DOI: 10.1021/acs.chemmater.3c01238
Rahul Rao 1 , Ryan Selhorst 1, 2 , Jie Jiang 1 , Benjamin S. Conner 3, 4 , Ryan Siebenaller 5 , Emmanuel Rowe 1, 4, 6, 7, 8 , Andrea N. Giordano 1, 4 , Ruth Pachter 1 , Michael A. Susner 1
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CuInP 2 S 6 (CIPS) 是一种新兴的层状铁电材料,其居里温度高于室温。当用 Cu 缺陷(即 Cu 1– x In 1+ x /3 P 2 S 6)合成时,材料在同一单晶内偏析为 CIPS 和 In 4/3 P 2 S 6 (IPS) 自组装异质结构。这种偏析导致 CIPS 和 IPS 相之间出现显着的面内和面外应变,因为 CIPS (IPS) 域的体积分数随着 Cu 分数的减少而收缩(增长)。在这里,我们合成了具有不同 Cu 含量(x = 0、0.2、0.3、0.4、0.5、0.7、0.8 和 1)的 CIPS,并通过各自的拉曼、红外、和光学反射光谱。密度泛函理论计算揭示了 CIPS 和 IPS 相特有的振动模式,可用于通过二维拉曼映射来区分这两个相。CIPS 和 IPS 拉曼峰的成分依赖性频率和强度的比较显示出随着 CIPS 相分数(即 Cu/In 比率)降低的有趣趋势。我们的数据揭示了红移和蓝移的拉曼和红外峰值频率,我们将其与材料分离到 CIPS 和 IPS 化学域中产生的晶格应变相关联。当 Cu/In 比率为 0.33 (Cu 0.4 In 1.2 P 2 S 6 ) 时,应变最高,我们将其归因于 CIPS 和 IPS 相彼此施加的相等且相反的应变。此外,我们从光学反射光谱中提取的带隙显示值有所下降,其中 Cu 0.4 In 1.2 P 2 S 6具有最低值~2.3 eV。
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更新日期:2023-09-18

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