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外电场对β-Ga2O3电子结构和光学性质的影响：DFT研究
RSC Advances ( IF 3.9 ) Pub Date : 2023-09-15 , DOI: 10.1039/d3ra04119k
Hao Wu 1 , Cuihua Zhao 1, 2 , WenBo Zhao 1 , Linji Li 1 , Chengcheng Zhang 1
RSC Advances ( IF 3.9 ) Pub Date : 2023-09-15 , DOI: 10.1039/d3ra04119k
Hao Wu 1 , Cuihua Zhao 1, 2 , WenBo Zhao 1 , Linji Li 1 , Chengcheng Zhang 1
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采用GGA+ U方法研究了不同电场对β-Ga 2 O 3电子结构和光学性质的影响。结果表明，适当的电场强度可以更有效地调节β-Ga 2 O 3的带隙，从而改善光电特性。本征β-Ga 2 O 3的带隙值为4.865 eV，随着电场强度从0.05 eV Å -1 增加到0.20 eV Å -1 ，带隙值从4.732 减小到2.757 eV 。O-Ga键沿电场的长度随电场强度增加最快，当电场强度为0.20 eV Å -1 时，O和Ga之间的距离达到2.52 Å。β-Ga 2 O 3在电场作用下的低频区介电函数实部和虚部出现新峰，电导率明显增加。在 400-600 nm 的波长范围内观察到由电场引起的光吸收峰。β-Ga 2 O 3的光吸收随着电场强度的增加而增强，在0.15 eV Å -1的电场处呈现最大值。高于0.15 eV Å -1的电场导致光吸收强度降低。
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更新日期：2023-09-15
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