用于晶格匹配薄膜 InGaP/(In)GaAs/Ge 串联太阳能电池的超薄柔性 Ge 太阳能电池,Solar RRL

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用于晶格匹配薄膜 InGaP/(In)GaAs/Ge 串联太阳能电池的超薄柔性 Ge 太阳能电池
Solar RRL ( IF 6.0 ) Pub Date : 2023-09-12 , DOI: 10.1002/solr.202300387
Sunghyun Moon ₁ , Kangho Kim ₁ , Youngjo Kim ₁ , Ho Kwan Kang ₂ , Kyung-Ho Park ₂ , Jaejin Lee ₁

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转移到柔性基板上的超薄Ge单结（1J）太阳能电池有望开辟一种新型晶格匹配薄膜InGaP/(In)GaAs/Ge串联太阳能电池，以实现高效、低成本和轻质-重量灵活的设备。超薄Ge 1J太阳能电池结构使用异丁基锗烷金属有机源作为Ge前驱体，通过低压金属有机化学气相沉积系统外延生长在GaAs衬底上。通过简单快速的外延剥离方法，可以将外延结构转移到柔性基板上，从而制造出具有弯曲测试机械稳定性（R = 12.5 mm）的2英寸晶圆级柔性超薄Ge 1J太阳能电池。它们的最大功率转换效率 (5.40%) 是通过 Ge pn 结的最佳厚度以及在厚 p-Ge 基层生长过程中利用 Ga 掺杂剂注入和停止的多个周期的 delta 掺杂技术实现的。超薄Ge 1J太阳能电池的功率重量比值比块状Ge太阳能电池高出56.65倍，在无人机以及便携式可穿戴设备电源方面具有巨大潜力设备。

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更新日期：2023-09-12

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