本研究旨在通过构建紧密键合的 CuFeO/CuO 异质结构来增强 CuFeO 纳米片的 PEC 性能。采用溶胶-凝胶旋涂法制备了 CuO 晶体结构薄膜，其中改变退火温度以调节氧空位的含量。与原始的 CuFeO 和两种串联结构相比，CuFeO@V-CuO 核壳结构的光电流密度达到 68 μA/cm，分别提高了近 8.5、1.36 和 2.27 倍。实验结果验证了 CuFeO@V-CuO 结处的固体原子级接触键合，从而提高了整体效率。通过优化CuFeO@V-CuO核壳异质结构的制备工艺，载流子浓度和传输以及电子空穴对分离得到了显着改善，进一步提升了其PEC性能。至关重要的是，CuFeO@V-CuO异质结构中氧空位的存在起到了关键作用。氧空位消除了界面处捕获电子的潜在陷阱，并抑制了未占据界面态的形成，从而减少了光生电子-空穴对的复合。此外，氧空位促进导带排列，促进光生电子空穴对的有效分离和快速转移。总之，由于界面电场和氧空位之间的协同作用，CuFeO@V-CuO核壳异质结构实现了光生电子-空穴对的有效分离和转移，同时有效抑制了复合。



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