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各向异型 ZnO:Al/n-ZnSe/p-CdTe 异质结构的电学性能
ACS Omega ( IF 3.7 ) Pub Date : 2023-09-04 , DOI: 10.1021/acsomega.3c05362
Eduard V Maistruk 1 , Ivan G Orletskyi 1 , Maria I Ilashchuk 1 , Ivan P Koziarskyi 1 , Dmytro P Koziarskyi 1
ACS Omega ( IF 3.7 ) Pub Date : 2023-09-04 , DOI: 10.1021/acsomega.3c05362
Eduard V Maistruk 1 , Ivan G Orletskyi 1 , Maria I Ilashchuk 1 , Ivan P Koziarskyi 1 , Dmytro P Koziarskyi 1
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通过高频磁控管在晶体p -CdTe 表面沉积 ZnO:Al 和n -ZnSe 薄膜，制备了具有二极管特性的 ZnO: Al/ n - ZnSe / p - CdTe 各向异型异质结。建立了在正向电压高达 0.45 V 时受空间电荷限制的电流以及在V > 0.45 V时受隧道电流限制的电流。在反向电压V = -0.6 V时观察到这些电流机制的变化。ZnO :Al/ n -ZnSe/ p -CdTe 异质结构的能垒q ψ k = 1 eV 的主要部分形成于p -CdTe 衬底，是根据电容电压 ( C – V ) 特性的研究而建立的。提出了异质结构的能量图模型。
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更新日期：2023-09-04
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