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调节介孔 CeO2-x 的氧空位和费米能级以增强 Cs3Bi2Br9/CeO2-x S 型异质结的内置电场和增强电荷分离
Small ( IF 13.0 ) Pub Date : 2023-09-03 , DOI: 10.1002/smll.202305566 Zhijie Zhang 1 , Xuesheng Wang 1 , Deben Li 1 , Yaoqing Chu 1 , Jiayue Xu 1
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调节异质结中的内置电场（BEF）是开发高效光催化剂的一个巨大挑战。在此，通过调整成分还原半导体（介孔CeO 2-x ）中氧空位的含量，实现了CeO 2-x的精确费米能级（E F ）调节，从而在体系中产生放大的E F带隙和增强的BEF。 Cs 3 Bi 2 Br 9钙钛矿量子点/CeO 2-x S型异质结。这种增强的 BEF 为定向电子转移提供了强大的驱动力，促进了 S 型异质结中的电荷分离。结果，优化的Cs 3 Bi 2 Br 9 /CeO 2-x异质结具有显着的CO 2转化效率，CO产率高达80.26 µmol g -1 h -1 ，选择性高达97.6%。 S型电荷转移模式通过密度泛函理论（DFT）计算、原位X射线光电子能谱（XPS）和光照射开尔文探针力显微镜（KPFM）综合证实。此外，合作进行漫反射红外傅里叶变换光谱（DRIFTS）和理论计算来揭示CO 2光还原途径。
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