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Tauc 图方法的局限性
Advanced Functional Materials ( IF 18.5 ) Pub Date : 2023-09-03 , DOI: 10.1002/adfm.202304523
Julian Klein 1 , Laura Kampermann 1 , Benjamin Mockenhaupt 2, 3 , Malte Behrens 2, 4 , Jennifer Strunk 5 , Gerd Bacher 1
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Tauc是一种最初开发用于推导非晶半导体(例如非晶锗或硅)的光学间隙的方法。通过测量吸收系数α ( ) 并绘图 α H v 1 2 $(\alpha {hv})^{\frac{1}{2}}$ 相对于光子能量hν ,光学间隙Tauc 间隙)的值被确定。以这种方式,可以检查近似抛物线带之间的非直接光学跃迁。在过去的几十年中,这种针对(多)晶半导体的方法的修改已成为研究直接间接带间跃迁的流行方法。为此, ( ahν ) n ( n  =  1 2 $\frac{1}{2}$ , 2) 相对于hν绘制以确定电子带隙的值。由于易于进行紫外-可见光测量,该方法现已成为分析各种(多)晶体固体的标准,无论其电子结构如何。尽管这部分导致名义上相同材料的各自带隙值存在很大差异,但仍然没有研究批判性地质疑电子结构中的哪些特性阻碍了(多)晶固体的Tauc 图的使用以及哪些材料类别这适用。本研究旨在通过讨论具有不同电子结构的示例性(多)晶固体的Tauc 图及其限制因素来缩小这一差距。



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更新日期:2023-09-03
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