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控制盐辅助 CVD 方法生长的单层 WSe2 的形态和激子无序
ACS Nanoscience Au ( IF 4.8 ) Pub Date : 2023-08-22 , DOI: 10.1021/acsnanoscienceau.3c00028
Reynolds Dziobek-Garrett 1 , Sachi Hilliard 1 , Shreya Sriramineni 1 , Ona Ambrozaite 1 , Yifei Zhu 1 , Bethany M Hudak 2 , Todd H Brintlinger 2 , Tomojit Chowdhury 3 , Thomas J Kempa 1, 4
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化学合成是自上而下制造的一种引人注目的替代方案，用于控制二维 (2D) 晶体的尺寸、形状和成分。二维晶体结构的精确调谐对于新现象的发现以及这些材料在光电、光伏和量子器件中的可靠应用具有广泛的意义。然而，通过气相合成对二维晶体的边缘结构进行精确且可预测的控制仍然是一个艰巨的挑战。在这里，我们演示了一种盐辅助低压化学气相沉积方法，该方法能够在 2D WSe 2单层生长过程中调节 W 金属通量，从而直接控制其边缘结构和光学性能。 2D WSe 2中的结构无序程度是W金属通量的直接函数，其通过调节WO 3与NaCl的质量比来控制。然后，这种边缘无序与激子无序耦合，表现为发射曲线变宽且空间变化。我们的工作将合成参数与材料形态和光学特性的分析联系起来，以提供对合成二维材料的内在限制和机会的统一理解。
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