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Electroluminescence from Megasonically Solution-Processed MoS2 Nanosheet Films
ACS Nano ( IF 15.8 ) Pub Date : 2023-08-22 , DOI: 10.1021/acsnano.3c06034
Sonal V Rangnekar 1 , Vinod K Sangwan 1 , Mengru Jin 1 , Maryam Khalaj 1 , Beata M Szydłowska 1 , Anushka Dasgupta 1 , Lidia Kuo 1 , Heather E Kurtz 1 , Tobin J Marks 1, 2 , Mark C Hersam 1, 2, 3
ACS Nano ( IF 15.8 ) Pub Date : 2023-08-22 , DOI: 10.1021/acsnano.3c06034
Sonal V Rangnekar 1 , Vinod K Sangwan 1 , Mengru Jin 1 , Maryam Khalaj 1 , Beata M Szydłowska 1 , Anushka Dasgupta 1 , Lidia Kuo 1 , Heather E Kurtz 1 , Tobin J Marks 1, 2 , Mark C Hersam 1, 2, 3
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Due to their superior optoelectronic properties, monolayer two-dimensional (2D) transition metal dichalcogenides (TMDs) have attracted significant attention for electroluminescent devices. However, challenges in isolating optoelectronically active TMD monolayers using scalable liquid phase exfoliation have precluded electroluminescence in large-area, solution-processed TMD films. Here, we overcome these limitations and demonstrate electroluminescence from molybdenum disulfide (MoS2) nanosheet films by employing a monolayer-rich MoS2 ink produced by electrochemical intercalation and megasonic exfoliation. Characteristic monolayer MoS2 photoluminescence and electroluminescence spectral peaks at 1.88–1.90 eV are observed in megasonicated MoS2 films, with the emission intensity increasing with film thickness over the range 10–70 nm. Furthermore, employing a vertical light-emitting capacitor architecture enables uniform electroluminescence in large-area devices. These results indicate that megasonically exfoliated MoS2 monolayers retain their direct bandgap character in electrically percolating thin films even following multistep solution processing. Overall, this work establishes megasonicated MoS2 inks as an additive manufacturing platform for flexible, patterned, and miniaturized light sources that can likely be expanded to other TMD semiconductors.
中文翻译：
兆声溶液处理的 MoS2 纳米片薄膜的电致发光
由于其优异的光电特性，单层二维（2D）过渡金属二硫属化物（TMD）在电致发光器件中引起了极大的关注。然而，使用可扩展的液相剥离分离光电活性TMD单层的挑战阻碍了大面积、溶液处理的TMD薄膜中的电致发光。在这里，我们克服了这些限制，并通过采用电化学插层和兆频超声剥离产生的富含单层的 MoS 2墨水，展示了二硫化钼 (MoS 2 ) 纳米片薄膜的电致发光。在兆声处理的 MoS 2薄膜中观察到 1.88-1.90 eV 处的特征单层 MoS 2光致发光和电致发光光谱峰，在 10-70 nm 范围内，发射强度随着薄膜厚度的增加而增加。此外，采用垂直发光电容器架构可以在大面积器件中实现均匀的电致发光。这些结果表明，即使经过多步溶液处理，兆声剥离的MoS 2单层在电渗透薄膜中仍保留其直接带隙特征。总体而言，这项工作将兆声波 MoS 2墨水建立为柔性、图案化和小型化光源的增材制造平台，并有可能扩展到其他 TMD 半导体。
更新日期：2023-08-22
中文翻译：
兆声溶液处理的 MoS2 纳米片薄膜的电致发光
由于其优异的光电特性，单层二维（2D）过渡金属二硫属化物（TMD）在电致发光器件中引起了极大的关注。然而，使用可扩展的液相剥离分离光电活性TMD单层的挑战阻碍了大面积、溶液处理的TMD薄膜中的电致发光。在这里，我们克服了这些限制，并通过采用电化学插层和兆频超声剥离产生的富含单层的 MoS 2墨水，展示了二硫化钼 (MoS 2 ) 纳米片薄膜的电致发光。在兆声处理的 MoS 2薄膜中观察到 1.88-1.90 eV 处的特征单层 MoS 2光致发光和电致发光光谱峰，在 10-70 nm 范围内，发射强度随着薄膜厚度的增加而增加。此外，采用垂直发光电容器架构可以在大面积器件中实现均匀的电致发光。这些结果表明，即使经过多步溶液处理，兆声剥离的MoS 2单层在电渗透薄膜中仍保留其直接带隙特征。总体而言，这项工作将兆声波 MoS 2墨水建立为柔性、图案化和小型化光源的增材制造平台，并有可能扩展到其他 TMD 半导体。
京公网安备 11010802027423号