超配位物种 VSEPR 模型的缺点及其在普通化学中的表现,Journal of Chemical Education

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超配位物种 VSEPR 模型的缺点及其在普通化学中的表现
Journal of Chemical Education ( IF 2.5 ) Pub Date : 2023-08-17 , DOI: 10.1021/acs.jchemed.3c00415
Annika L. Medrano ₁ , Thomas M. Gilbert ₂ , Christine M. Morales ₁

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大多数教科书中解释的价层电子对排斥理论 (VSEPR) 预测，取代基与 AX _n E _z^c物种中的中心原子键合（A = 主族中心原子，X = 取代基，E = 中心原子上的孤对电子，c = 电荷）将改变它们的 X–A–X 角度以弯曲远离孤对。文献中也出现过例外情况，通常是由非常大的取代基之间的空间排斥引起的，较少见的是由多重键合和键极化等电子因素引起的。我们对超配位主族分子和离子 AX _n E _z^c和 AO _m X _n E进行了广泛的计算研究_z^c，其中 X = 卤化物，并发现基于 VSEPR 对那些含有较重卤化物的物质的这种弯曲的预测可能是不正确的。事实上，尽管 X = F 的情况通常符合预测，但我们发现 IOF₄^– /XeOF₄和 IO₂ F₂^– /XeO₂ F₂不符合预测。电子局域化函数的计算表明，差异的根本原因是孤对电子向更靠近中心原子的迁移。我们建议重新审视普通化学和无机化学教科书中 VSEPR 的介绍，并提供包含这一现象的建议语言。

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更新日期：2023-08-17

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