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通过铁基非晶合金中的磁异质纳米晶化机制实现高频超高磁导率
Advanced Materials ( IF 27.4 ) Pub Date : 2023-08-10 , DOI: 10.1002/adma.202304490
Jing Zhou 1, 2, 3 , Xuesong Li 1, 4 , Xibei Hou 1 , Haibo Ke 1 , Xingdu Fan 5 , Junhua Luan 6 , Hailong Peng 7 , Qiaoshi Zeng 8 , Hongbo Lou 8 , Jianguo Wang 3 , Chain Tsuan Liu 6 , Baolong Shen 5 , Baoan Sun 1, 2, 9 , Weihua Wang 1, 2, 3, 4, 9 , Haiyang Bai 1, 2, 9
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宽带隙 (WBG) 半导体的普及使得现代电子设备能够在更高的频率下运行。然而,开发具有与宽带隙器件相匹配的高频特性的软磁材料仍然具有挑战性。本文报道了一种有前途的纳米晶-非晶复合合金,其正常成分为 Fe 75.5 Co 0.5 Mo 0.5 Cu 1 Nb 1.5 Si 13 B 8 (原子百分比),可在工业条件下生产,并且在高频下表现出极高的磁导率100 kHz 时高达 36 000,与商用 FeSiBCuNb 纳米晶合金(100 kHz 时 25 000 ± 2000)相比增加了 44%,优于所有现有的纳米晶合金体系和商用软磁材料。该合金是通过铁基非晶合金中独特的磁性非均质纳米晶化机制获得的,这不同于传统的通过掺杂非磁性元素(例如Cu和Nb)进行纳米晶化的策略。添加Co原子引起的局部磁不均匀性促进了作为纳米晶核的高度有序结构的形成,而Mo原子在纳米晶界面周围团聚,抑制了纳米晶的生长,从而在纳米晶中形成超细纳米晶-非晶双相结构。合金。优异的软磁性能与交变磁场下的低磁各向异性和独特的自旋旋转机制密切相关。



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更新日期:2023-08-10
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