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用于分子动力学模拟的无定形二氧化硅界面的从头算力场
The Journal of Physical Chemistry C ( IF 3.3 ) Pub Date : 2023-08-10 , DOI: 10.1021/acs.jpcc.3c02270 Hasini S. Senanayake 1 , Pubudu N. Wimalasiri 1 , Sahan M. Godahewa 1 , Ward H. Thompson 1 , Jeffery A. Greathouse 2
The Journal of Physical Chemistry C ( IF 3.3 ) Pub Date : 2023-08-10 , DOI: 10.1021/acs.jpcc.3c02270 Hasini S. Senanayake 1 , Pubudu N. Wimalasiri 1 , Sahan M. Godahewa 1 , Ward H. Thompson 1 , Jeffery A. Greathouse 2
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我们提出了一个经典的原子间力场，二氧化硅-DDEC，来描述无定形和结晶二氧化硅表面的相互作用，并使用基于密度泛函理论的电荷进行参数化。二氧化硅表面的电荷方案是使用密度衍生静电和化学（DDEC）方法开发的，该方法再现了周期模型的原子电荷以及远离原子位点的静电势。Lennard-Jones 参数的确定需要正确描述 (i) 相对于实验测量的无定形二氧化硅密度、配位缺陷和局部配位几何形状，以及 (ii) 与从头计算结果相比的水-二氧化硅原子间距离。模型中还根据 DDEC 电荷描述了去质子化的表面硅烷醇位点。
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更新日期：2023-08-10
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