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简便的水热工艺实现 MoS2 纳米片的 1T/2H 相调整,以实现高效的微波吸收
Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects ( IF 4.9 ) Pub Date : 2023-08-01 , DOI: 10.1016/j.colsurfa.2023.132168
Shiqiao Liu , Debao Fang , Fangyuan Xing , Haibo Jin , Jingbo Li

电磁污染正成为一个严重的问题。重量轻、效率高、宽带的电磁波吸收器是电磁防护的理想选择。最近,由于1T/2H金属-半导体异质结的制造所驱动的微波衰减增强,1T/2H杂化二硫化钼纳米片引起了极大的关注。然而,由于两相比例难以精确控制且工艺复杂,简单且可控的1T/2H相裁剪仍然是一个挑战。在本研究中,提出了一种简便的水热工艺来获得具有不同1T含量的1T/2H MoS 2纳米片。高分辨率 TEM 图像揭示了 MoS 2纳米片由1T/2H纳米异质结组成,1T和2H纳米域交替排列。在不与导电物质复合的情况下,MoS 2纳米片表现出优异的微波吸收性能,最大反射损耗为-27 dB,有效吸收带宽为∼4.16 GHz(厚度为2.3 mm)。它受益于MoS 2纳米片增加的电导率、丰富的1T/2H相边界和晶格缺陷,以及由于1T相嵌入2H基体中而改善的阻抗匹配。这项工作证明了所提出的简便水热过程在实现 1T/2H 相调节方面的可行性,为定制 MoS 2的性能提供了一种有效的方法用于各种应用的纳米片。





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更新日期:2023-08-01
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