基于桥接微结构工程和局部电子结构操纵的高性能钠层状氧化物阴极的通用策略,ACS Nano

当前位置： X-MOL 学术 › ACS Nano › 论文详情

Our official English website, www.x-mol.net, welcomes your feedback! (Note: you will need to create a separate account there.)

基于桥接微结构工程和局部电子结构操纵的高性能钠层状氧化物阴极的通用策略
ACS Nano ( IF 15.8 ) Pub Date : 2023-08-01 , DOI: 10.1021/acsnano.3c03819
Hai-Yan Hu _{1,

2} , Hongrui Wang ₃ , Yan-Fang Zhu _{1,

2} , Jia-Yang Li _{1,

2} , Yifeng Liu _{1,

2} , Jingqiang Wang _{1,

2} , Han-Xiao Liu _{1,

2} , Xin-Bei Jia _{1,

2} , Hongwei Li _{1,

2} , Yu Su _{1,

2} , Yun Gao _{1,

2} , Shuangqiang Chen _{1,

2} , Xiongwei Wu _{3,

4,

5} , Shi Xue Dou ₆ , Shulei Chou _{1,

2} , Yao Xiao _{1,

2,

7}

Affiliation

由于其高容量和充足的Na ⁺存储，O3-NaNi _0.5 Mn _0.5 O ₂作为钠离子电池（SIB）的可行正极材料而备受关注。然而，复杂的不可逆多相变、结构稳定性差、工作电压低和不稳定的氧氧化还原反应等挑战仍然限制了其实际应用。本文以O3-NaNi _0.5 Mn _{0.5– x} Sn _x O ₂正极材料为研究模型，提出了一种基于桥接微结构工程和局域电子结构操纵的通用策略。该策略可以调节电极材料的物理和化学性质，从而抑制不利且不可逆的多相变，提高结构稳定性，操纵氧化还原电位，稳定阴离子氧化还原反应。Sn 取代对材料固有局域电子结构的影响通过密度泛函理论计算得到阐明。同时，该通用策略也通过Ti替代得到了验证，可以进一步推广到其他系统并指导SIB领域正极材料的设计。

"点击查看英文标题和摘要"

更新日期：2023-08-01

点击分享查看原文

点击收藏

阅读更多本刊新发论文本刊介绍/投稿指南