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钴掺杂诱导的超薄固体电解质界面构建和 Cu3PS4 碳纳米管杂化物中的穿梭效应抑制,实现卓越的钾离子存储
Journal of Power Sources ( IF 8.1 ) Pub Date : 2023-07-28 , DOI: 10.1016/j.jpowsour.2023.233440
Mahboobeh Nazarian-Samani , Masoud Nazarian-Samani , Safa Haghighat-Shishavan , Kwang-Bum Kim
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三元过渡金属磷硫属化物作为 K 离子电池的负极具有有趣的特性,例如成分多样、资源丰富、理论容量高和多重氧化还原反应。然而,它们大多存在中间多硫化物穿梭、体积变化大、动力学缓慢和导电性差等问题,导致电化学性能迅速衰减。为了有效地利用它们的优势,我们首次在 Cu3PS4 碳纳米管异质结构中引入了一种简单的杂原子过渡金属(Co、Fe、Ni)掺杂策略。Co 颗粒掺杂到 Cu3PS4-碳纳米管 (CPSC/Co) 杂化物中同时减轻了体积变化,导致形成薄的固体电解质界面膜,抑制了可溶性多硫化钾溶解到电解质中,阻碍了放电/再充电产物的团聚,并提高了钾化/脱钾过程中氧化还原反应的可逆性。因此,CPSC/Co 混合物提供了出色的初始库仑效率 (86.1%)、出色的循环稳定性(在 0.2 A g-1 下循环 300 次后为 489 mAh g-1)和高倍率能力(在 2 A g-1 下为 291 mAh g-1)。我们的研究结果表明,过渡金属掺杂可以合理调节固体电解质界面膜的形态和组成,并改变金属离子电池中的放电/充电反应。

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