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4H-SiC 中点缺陷的导电性改进
Crystal Growth & Design ( IF 3.2 ) Pub Date : 2023-07-28 , DOI: 10.1021/acs.cgd.3c00611
Chih Shan Tan
Crystal Growth & Design ( IF 3.2 ) Pub Date : 2023-07-28 , DOI: 10.1021/acs.cgd.3c00611
Chih Shan Tan
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由于熔化温度高，4H-SiC衬底存在大量难以去除的缺陷，阻碍了大规模、高电导率4H-SiC衬底的发展。本研究构建并分析了 4H-SiC 中点缺陷的原子模型，主要关注 Si 和 C 原子空位和间隙缺陷。4H-SiC 中的点缺陷可以提高电导率。例如，已发现Si 0空位可将4H-SiC晶胞的电导率提高220倍以上，将其宽带隙特性转化为金属特性。研究表明，缺陷可以改善4H-SiC的性能，为缺陷选择技术开发大规模、高电导率4H-SiC衬底铺平了道路。
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更新日期：2023-07-28
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