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从材料到相机:CMOS 上的低维光电探测器阵列

Small Methods ( IF 10.7 ) Pub Date : 2023-07-27 , DOI: 10.1002/smtd.202300595
Samaneh Ansari 1 , Simone Bianconi 2 , Chang-Mo Kang 3 , Hooman Mohseni 1
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过去二十年来,对具有特殊光电特性的低维材料的研究急剧增加。虽然低维材料为成像提供了令人兴奋的新机会,但它们在实际应用中的集成进展缓慢。事实上,大多数现有报告都是基于单像素设备,无法与基于互补金属氧化物半导体 (CMOS) 读出电子器件的大规模并行百万像素成像器提供的信息数量和质量相媲美。本次审查的第一个目标是提供使用这些新材料生产高分辨率相机的新机会。介绍了该领域的新光电检测方法和材料,并讨论了将其集成到 CMOS 芯片上以制造高分辨率相机所面临的挑战。然后提出了解决这些挑战的实用方法以及在 CMOS 上集成低维材料的方法。研究还表明,这种集成可用于新材料和设备的超低噪声和大规模并行测试。本次审查的第二个目标是展示低维材料在实现下一代低成本高性能相机方面尚未开发的巨大潜力。有人提出,低维材料具有创建出色的仿生人工成像系统的天然能力,这些系统具有像素内计算、多波段成像和弯曲视网膜等独特功能。




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更新日期:2023-07-27
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