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以埃级对单层 MoS2 中的电子电荷密度进行成像
Nature Communications ( IF 14.7 ) Pub Date : 2023-07-20 , DOI: 10.1038/s41467-023-39304-9
Joel Martis 1 , Sandhya Susarla 2, 3, 4 , Archith Rayabharam 5 , Cong Su 6, 7, 8 , Timothy Paule 6, 7, 8 , Philipp Pelz 2, 9 , Cassandra Huff 10 , Xintong Xu 1 , Hao-Kun Li 1 , Marc Jaikissoon 10 , Victoria Chen 10 , Eric Pop 10 , Krishna Saraswat 10 , Alex Zettl 6, 7, 8 , Narayana R Aluru 11 , Ramamoorthy Ramesh 6, 7 , Peter Ercius 2 , Arun Majumdar 1
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四维扫描透射电子显微镜(4D-STEM)最近因其能够以亚埃空间分辨率对原子电场成像的能力而受到广泛关注。这些电场图代表了原子核、核心电子和价电子的综合效应,将它们的贡献分开是很重要的。在本文中,我们利用同时采集的 4D-STEM 质心 (CoM) 图像和环形暗场 (ADF) 图像来确定单层 MoS 2 中的预计电子电荷密度。我们评估了核心电子和价电子对导出的电子电荷密度的贡献;然而,由于探针形状的模糊,价电子的贡献形成了几乎没有特征的背景,而大部分空间调制来自核心电子。我们的研究结果强调了探针形状在解释 4D-STEM 电荷密度方面的重要性以及对更小的电子探针的需求。





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更新日期:2023-07-20
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