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第二近红外窗口中单层WSe2带隙工程和光学性质的第一性原理研究
Advanced Materials Interfaces ( IF 4.3 ) Pub Date : 2023-07-14 , DOI: 10.1002/admi.202300277
Ruoli Zhao 1 , Ling Liu 2 , Jiahui Pei 1 , Changlong Liu 1 , Tianyu Liu 1, 3 , Xiao‐Dong Zhang 1, 2
Advanced Materials Interfaces ( IF 4.3 ) Pub Date : 2023-07-14 , DOI: 10.1002/admi.202300277
Ruoli Zhao 1 , Ling Liu 2 , Jiahui Pei 1 , Changlong Liu 1 , Tianyu Liu 1, 3 , Xiao‐Dong Zhang 1, 2
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第二近红外 II (NIR-II) 窗口中的荧光成像由于其在组织内的低散射率,为生物成像开辟了新的可能性。二维材料与 NIR-II 荧光的集成将有助于多功能成像探针的开发。然而,很少有 2D 材料可以在 NIR-II 范围内发出荧光。单层WSe 2是一种潜在的二维材料,但由于其带隙为1.54 eV,其在790 nm附近的光致发光(PL)仍然远离NIR-II范围。在本研究中,研究了Te、I和Cr掺杂单层WSe 2以及W和S空位单层WSe 2的电子结构、介电函数和PL光谱。大部分缺陷单层WSe 2除了一些在产生空位后表现出金属特性的配置外,仍然是半导体。在所研究的单层WSe 2中,Cr掺杂的WSe 2表现最好,在NIR-II中表现出很强的PL峰,带隙减小到1.0 eV左右。随着 Cr 浓度的增加,由于p-d跃迁的增强,峰值进一步向光谱的红端移动。研究结果为 NIR-II 生物成像和其他生物物理学中应用的材料合成提供了有用的指导。
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更新日期:2023-07-14

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