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二维极限范德华磁半导体 CrSBr 中光发射与磁力之间的相互作用

ACS Nano ( IF 15.8 ) Pub Date : 2023-07-13 , DOI: 10.1021/acsnano.3c00375
Francisco Marques-Moros 1 , Carla Boix-Constant 1 , Samuel Mañas-Valero 1 , Josep Canet-Ferrer 1 , Eugenio Coronado 1
Affiliation  


范德瓦尔斯半导体元磁体 CrSBr 为研究二维极限内光学和磁性之间的相互作用提供了理想的平台。在这里,我们通过温度和磁场相关的光致发光(PL)对不同厚度直至单层的薄片进行了详尽的光学表征。我们发现了一个特征发射峰,该特征发射峰在铁磁层从反平行配置切换到平行配置时被淬灭,并且表现出与通常归因于激子的峰不同的温度依赖性。该峰对 PL 的贡献提高了 30-40 K 左右,与隐序磁转变温度一致。我们的研究结果揭示了通过磁性供体空位的电离来实现光学和磁性之间的联系。这种行为为光学读取 CrSBr 原子薄层中的磁态提供了有用的工具,并显示了设计具有磁性和激子特性的二维异质结构的潜力。




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更新日期:2023-07-13
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