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原位制备苔藓瓦状 ZnIn2S4/Cu2MoS4 S 型异质结,用于可见光下高效光催化析氢
Journal of Colloid and Interface Science ( IF 9.4 ) Pub Date : 2023-07-10 , DOI: 10.1016/j.jcis.2023.07.052
Shikai Wang 1 , Dafeng Zhang 1 , Ping Su 1 , Xintong Yao 1 , Junchang Liu 1 , Xipeng Pu 1 , Hengshuai Li 2 , Peiqing Cai 3
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更新日期:2023-07-12
Journal of Colloid and Interface Science ( IF 9.4 ) Pub Date : 2023-07-10 , DOI: 10.1016/j.jcis.2023.07.052
Shikai Wang 1 , Dafeng Zhang 1 , Ping Su 1 , Xintong Yao 1 , Junchang Liu 1 , Xipeng Pu 1 , Hengshuai Li 2 , Peiqing Cai 3
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异质结的合理设计和制造可以在一定程度上调节光催化性能,但在半导体光催化剂表面构建具有稳定且紧密界面的S型异质结构仍然是一个巨大的挑战。在此,通过在CMS板上原位组装ZIS纳米片来制备ZnIn 2 S 4 /Cu 2 MoS 4 (ZIS/CMS)S型异质结构,获得苔藓瓦状形态。由于原位生长产生的致密界面,这种独特的结构有效地促进了光生电荷的分离和转移,保证了更大的界面面积,并丰富了光催化氧化还原反应的活性位点。调整ZIS/CMS中CMS的质量比后,S型异质结构表现出优异的性能,最佳H 2产率高达1298 μmol·h -1 g -1,约为原始ZIS的13.8倍。对S型异质结构光催化剂中电荷转移和分离的机理和驱动力进行了解释和讨论。这项研究将为用于H 2演化的S型异质结光催化剂的设计和构建提供新的见解。

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