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单分子连接中交叉共轭和跳跃共轭分子的电子电导和热电势
The Journal of Physical Chemistry C ( IF 3.3 ) Pub Date : 2023-07-06 , DOI: 10.1021/acs.jpcc.3c00742
Rebecca J Salthouse 1 , Juan Hurtado-Gallego 2 , Iain M Grace 3 , Ross Davidson 1 , Ohud Alshammari 3 , Nicolás Agraït 2, 4, 5 , Colin J Lambert 3 , Martin R Bryce 1
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我们报告了一系列硫甲基(SMe)锚定的交叉共轭分子的综合实验和理论研究,这些分子具有无环中心桥酮及其类似的跳跃共轭醇衍生物。使用扫描隧道显微镜断裂连接技术对金|单分子|金连接中的这些分子进行研究,揭示了交叉共轭分子及其跳过共轭伙伴的相似电导 ( G ) 值。基于连接处最佳几何形状的分子的密度泛函理论的理论研究揭示了电导率相似的原因,因为醇系列化合物的预测电导率随倾斜角变化更大。热电势测量显示,交叉共轭酮分子相对于醇衍生物具有更高的塞贝克系数 ( S ),其中联苯衍生物3a的S特别高(−15.6 μV/K),比其醇类似物增加了三倍。发现这一系列交叉共轭分子中量子干涉(QI)的预测行为是建设性的,尽管3a的破坏性 QI 特征的出现是由于 HOMO 轨道的简并性,并且可以解释该分子的S值。



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更新日期:2023-07-06
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