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无外部碳源的镀铜废钢上CVD生长石墨烯
Nano Research ( IF 9.5 ) Pub Date : 2023-07-06 , DOI: 10.1007/s12274-023-5883-8
Tianyi Qi , Qingguo Shao , Hao Qi , Jianhua Xiao , Yuming Zhang , Yang Wang , Xin Jin , Yanli Chen , Dan Li , Xiaobei Zang , Ning Cao

使用气态碳氢化合物源的化学气相沉积(CVD)在大规模石墨烯生长方面显示出巨大的前景,但高生长温度(通常为 1000 °C)需要复杂且昂贵的设备,这增加了石墨烯的生产成本。在这里,我们展示了一种通过热蒸发镀铜处理的废钢板以低成本生产石墨烯的新方法,这是传统CVD技术的衍生技术。在不额外碳源的情况下,在820℃下在镀铜废钢板上成功制备了石墨烯薄膜。与 1000 °C 下生长的 CVD 石墨烯相比,所得石墨烯缺陷很少且形态均匀。最后将得到的石墨烯薄膜与叉指电极结合用于检测NO 2成功,展现出优异的表现。该技术拓展了石墨烯在气体传感器件制造中的应用,并与传统微电子技术兼容。





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更新日期:2023-07-06
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