使用 MOCVD 在 GaN/Al2O3 上异质外延生长单晶 β-Ga2O3,Crystal Growth & Design

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使用 MOCVD 在 GaN/Al2O3 上异质外延生长单晶 β-Ga2O3
Crystal Growth & Design ( IF 3.2 ) Pub Date : 2023-07-05 , DOI: 10.1021/acs.cgd.3c00318
Dahee Seo _{1,

2} , Sunjae Kim _{1,

2,

3} , Hyeong-Yun Kim ₃ , Dae-Woo Jeon ₃ , Ji-Hyeon Park ₃ , Wan Sik Hwang _{1,

2}

Affiliation

由于缺乏p - Ga ₂ O _{3 ，}n -Ga ₂ O ₃ / p -GaN异质结的形成已被深入研究。与热氧化、溅射或脉冲激光沉积 (PLD) 相比，已知金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 可以提供高质量的n -Ga ₂ O ₃ / p -GaN 异质结。在这项工作中，{−201} 的单晶 β-Ga ₂ O ₃生长在 GaN (001)/Al ₂ O _3上使用 MOCVD 衬底。_{在 β-Ga 2} O ₃和 GaN之间观察到没有明显界面层的突变异质结。然而，由于β-Ga ₂ O ₃ (-201)和GaN(001)之间的晶格失配，源自Ga ₂ O ₃ /GaN界面的晶界和晶粒缺陷在对角线的β-Ga ₂ O ₃中继续存在。方向。GaN(001)/Al ₂ O ₃衬底上生长的β-Ga ₂ O _{3的外延性质导致β-Ga}₂ O ₃的生长方向呈现纳米棒状形貌。。这项工作标志着朝着形成高质量 Ga ₂ O ₃ /GaN 异质结迈出了一步，该异质结将成为包括光电子学和电力电子学在内的各种器件的重要构建模块。

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更新日期：2023-07-05

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