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用于制氢的 MoS2 光电极:调节高度均匀超薄纳米晶体中的 S 空位含量
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2023-07-05 , DOI: 10.1021/acsami.3c02192 Nuria Jiménez-Arévalo 1 , Jinan H Al Shuhaib 1 , Rodrigo Bautista Pacheco 1 , Dario Marchiani 2 , Mahmoud M Saad Abdelnabi 2, 3 , Riccardo Frisenda 2 , Marco Sbroscia 2 , Maria Grazia Betti 2 , Carlo Mariani 2 , Yolanda Manzanares-Negro 4 , Cristina Gómez Navarro 4, 5 , Antonio J Martínez-Galera 1, 5 , José Ramón Ares 1 , Isabel J Ferrer 1, 5 , Fabrice Leardini 1, 5
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调节MoS 2层的电催化性能可以通过不同的途径来实现,例如减少其厚度、在MoS 2薄片中创建边缘以及引入S-空位。我们通过使用特殊的盐辅助化学气相沉积 (CVD) 方法生长 MoS 2电极来结合这三种方法。该过程允许超薄 MoS 2纳米晶体(1-3 层厚,几纳米宽)的生长,原子力显微镜和扫描隧道显微镜证明了这一点。与剥离或微晶MoS 2层相比,纳米级MoS 2层的这种形态在拉曼和光致发光光谱中引起一些特定特征。此外,可以在CVD生长期间通过使用Ar/H 2混合物作为载气来调节层中的S空位含量。具有亚毫米空间分辨率的详细光学微透射率和微反射光谱、微拉曼和X射线光电子能谱测量表明,所获得的样品在cm 2范围内的面积上呈现出优异的均匀性。使用相对较大面积(0.8 cm 2 )的电极研究了这些MoS 2层的电化学和光电化学性质。所制备的MoS 2阴极表现出出色的法拉第效率以及在酸性溶液中的长期稳定性。此外,我们证明存在最佳数量的S空位来提高MoS 2的电化学和光电化学性能。
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