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多面 Cu2O 晶体表面和体晶格的实验揭示
Small ( IF 13.0 ) Pub Date : 2023-06-28 , DOI: 10.1002/smll.202303491
Bo-Hao Chen, Gautam Kumar, Yu-Jung Wei, Hsueh-Heng Ma, Jui-Cheng Kao, Po-Jung Chou, Yu-Chun Chuang, I-Chia Chen, Jyh-Pin Chou, Yu-Chieh Lo, Michael H. Huang

半导体晶体通常表现出与晶面相关的电学、光催化和光学特性。这些现象被认为是由具有键位偏差的表面层的存在引起的。为了提供这种结构特征的实验证据,使用同步加速器 X 射线源来获得多面体氧化亚铜晶体的 X 射线衍射 (XRD) 图案。Cu 2 O 菱形十二面体显示出来自峰分裂的两个不同的晶胞常数。用氨硼烷将 Cu 2 O 缓慢还原为 Cu期间的峰消失区分了体晶格和表面层晶格。立方体和八面体也显示出两个峰分量,而立方八面体的衍射峰由三个分量组成。块体和表面区域随温度变化的晶格变化也表现出形状依赖性。从透射电子显微镜 (TEM) 图像中,可以测量表面和内部晶体区域的轻微平面间距偏差。图像处理提供了深度约为 1.5-4 nm 的表面层的可视化,给出了虚线晶格点,而不是原子位置偏差的点。仔细的 TEM 检查揭示了不同颗粒形态的晶格斑点尺寸和形状存在相当大的变化,这解释了为什么会出现与晶面相关的特性。拉曼光谱反映了菱形十二面体中较大的体积和表面晶格差异。表面晶格差异可以改变粒子带隙。



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更新日期:2023-06-28
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