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周期性极化铌酸锂上ZnO异质结构的光化学反应模式
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2016-09-22 00:00:00 , DOI: 10.1021/acsami.6b06060
Manpuneet Kaur 1 , Qianlang Liu 1 , Peter A. Crozier 1 , Robert J. Nemanich 2
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LiNbO 3中的内部电场为异质光催化反应提供了驱动力,其中光激发的空穴或电子可以参与正(+ c)和负(-c)畴表面以及畴边界处的氧化还原反应。表征表面化学反应性的一种方法是通过将LiNbO 3浸入AgNO 3水溶液中并用上述带隙光照射来测量光诱导的Ag沉积。Ag +离子的还原导致在表面形成Ag纳米颗粒,并且高密度的Ag纳米颗粒表明表面光化学反应增强。在这项研究中,n型半导体ZnO层沉积在周期性极化的LiNbO 3上(PPLN)来调节表面电子特性并影响表面氧化还原反应。在PPLN基板上进行1、2、4和10 nm ZnO薄膜的等离子增强原子层沉积(PEALD)之后,将基板浸入AgNO 3水溶液中并用带隙以上的紫外线照明。对于1和2 nm的ZnO / PPLN异质结构,Ag纳米粒子的密度增加,表明ZnO / PPLN表面的电子密度增加。但是,增加ZnO的厚度超过2 nm会导致Ag纳米颗粒密度的降低。纳米粒子密度的增加与ZnO / PPLN界面处的光激发电荷密度以及ZnO表面存在弱吸附的Stern层有关。对于较厚的ZnO,纳米颗粒密度的降低归因于ZnO层中的光激发电子筛选,从而抑制了电子从LiNbO 3到ZnO表面的流动。



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更新日期:2016-09-22
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