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通过倾斜磁体中可调谐非共线自旋配置实现确定性磁化切换
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2023-06-28 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.3c01192 Pengwei Dou 1 , Jingyan Zhang 1 , Yaqin Guo 2 , Tao Zhu 3 , Jia Luo 4 , Guoping Zhao 4 , He Huang 1 , Guoqiang Yu 3 , Yunchi Zhao 3 , Jie Qi 1 , Xiao Deng 1 , Yuanbo Wang 1 , Jialiang Li 3 , Jianxin Shen 1 , Xinqi Zheng 1 , Yanfei Wu 1 , Hongxin Yang 5 , Baogen Shen 3 , Shouguo Wang 1, 6
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2023-06-28 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.3c01192 Pengwei Dou 1 , Jingyan Zhang 1 , Yaqin Guo 2 , Tao Zhu 3 , Jia Luo 4 , Guoping Zhao 4 , He Huang 1 , Guoqiang Yu 3 , Yunchi Zhao 3 , Jie Qi 1 , Xiao Deng 1 , Yuanbo Wang 1 , Jialiang Li 3 , Jianxin Shen 1 , Xinqi Zheng 1 , Yanfei Wu 1 , Hongxin Yang 5 , Baogen Shen 3 , Shouguo Wang 1, 6
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自旋转位扭矩 (SOT) 驱动的磁化开关已广泛用于编码高效节能的存储器和逻辑。然而，需要在磁场下打破对称性才能实现具有垂直磁各向异性（PMA）的合成反铁磁体的确定性切换，这限制了它们的潜在应用。在此，我们报告了具有垂直磁不平衡的反铁磁Co/Ir/Co三层中的所有电控磁化翻转。此外，可以通过优化Ir厚度来反转开关极性。通过使用偏振中子反射（PNR）测量，在Co/Ir/Co三层中观察到倾斜的非共线自旋构型，这是由磁不均匀性竞争引起的。此外，微磁模拟证明的不对称畴壁是由于引入不平衡磁性而导致的，从而导致Co/Ir/Co三层中的确定性磁化强度切换。我们的研究结果强调了通过可调谐自旋配置实现电控磁性的一条有前途的途径，提高了我们对物理机制的理解，并显着促进了自旋电子器件的工业应用。
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更新日期：2023-06-28
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