当前位置：
X-MOL 学术
›
Nano Lett.
›
论文详情
Our official English website, www.x-mol.net, welcomes your
feedback! (Note: you will need to create a separate account there.)
MoS2 晶体管中带隙内量子点的自旋谷锁定
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2023-06-26 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.3c01779
Radha Krishnan 1 , Sangram Biswas 1 , Yu-Ling Hsueh 2 , Hongyang Ma 2 , Rajib Rahman 2 , Bent Weber 1
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2023-06-26 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.3c01779
Radha Krishnan 1 , Sangram Biswas 1 , Yu-Ling Hsueh 2 , Hongyang Ma 2 , Rajib Rahman 2 , Bent Weber 1
Affiliation
|
人们正在积极探索局限于原子薄半导体的自旋作为量子信息载体。在过渡金属二硫属化物 (TMDC) 中，六方晶格产生了额外的谷自由度，具有自旋谷锁定和潜在增强的自旋寿命和相干时间。然而，实现良好分离的单粒子水平并实现透明电接触来解决这些问题仍然具有挑战性。在这里，我们报告了几层 MoS 2晶体管中明确定义的自旋态，其特征在于在T el = 150 mK时光谱分辨率为 ∼50 μeV 。基态磁谱证实了有限贝里曲率引起的自旋和谷耦合，反映在明显的塞曼各向异性中，具有大的平面外g ⊥ ≃ 8 的g因子。有限的面内g因子 ( g ∥ ≃ 0.55–0.8) 允许我们量化自旋谷锁定并估计自旋轨道分裂 2Δ SO ∼ 100 μeV。自旋谷锁定的演示是实现自旋谷量子比特的一个重要里程碑。
"点击查看英文标题和摘要"
更新日期：2023-06-26
"点击查看英文标题和摘要"
京公网安备 11010802027423号