具有 ZnO 中间层的 β-Ga2O3/GaN 晶圆键合异质结的电学和结构分析,Advanced Electronic Materials

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具有 ZnO 中间层的 β-Ga2O3/GaN 晶圆键合异质结的电学和结构分析
Advanced Electronic Materials ( IF 5.3 ) Pub Date : 2023-06-27 , DOI: 10.1002/aelm.202300174
Zhe (A.) Jian ₁ , Kai Sun ₂ , Stefan Kosanovic ₁ , Christopher J. Clymore ₃ , Umesh Mishra ₃ , Elaheh Ahmadi _{1,

4}

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通过添加 ZnO 作为“胶”中间层，演示了β -Ga ₂ O ₃和 N 极性 GaN 单晶衬底的晶圆键合。晶圆完全粘合，因此观察不到牛顿环。对键合态 Ga ₂ O ₃ /ZnO/N 极性 GaN 测试结构以及在 600 °C 和 1100 °C 退火后进行与温度相关的电流-电压 ( I – V ) 测量。研究了后退火温度对键合样品的电学和结构特性的影响。_{通过在 N 2}中 1100 °C 下对键合晶圆进行退火，可以获得一致的欧姆特性，这部分是由于 ZnO 的结晶和 Ga 扩散到 ZnO 中，使其成为 n 型掺杂。这项工作中实现的β -Ga ₂ O ₃和 GaN的晶圆键合有望结合 GaN 和 Ga ₂ O ₃的材料优点，从而实现突破性的高频和高功率器件性能。

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更新日期：2023-06-27

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