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抑制俄歇复合的CdSe / CdS核-壳量子点的原子设计
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2016-09-29 00:00:00 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.6b03059
Ankit Jain 1 , Oleksandr Voznyy 1 , Sjoerd Hoogland 1 , Marek Korkusinski 2 , Pawel Hawrylak 3 , Edward H. Sargent 1
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2016-09-29 00:00:00 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.6b03059
Ankit Jain 1 , Oleksandr Voznyy 1 , Sjoerd Hoogland 1 , Marek Korkusinski 2 , Pawel Hawrylak 3 , Edward H. Sargent 1
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我们设计准II型CdSe / CdS核-壳胶体量子点（CQDs），表现出抑制的俄歇复合率。我们使用完全原子的紧束波函数和微观库仑相互作用来实现。对照实验测试了重组率随核，壳尺寸和形状的变化。由于较高的深孔态密度和更强的孔限制，发现在4 nm核心/ 10 nm壳型CQD中，正性ons子的俄歇复合速度比负性ons子快6倍。与相同带隙的尖锐界面CQD相比，界面处的软约束导致对俄歇重组的抑制作用较弱。我们发现抑制作用是由于核心体积增加导致波函数离域，而不是由于软约束本身引起的。我们表明，我们的结果与具有相同系统参数的先前有效质量模型一致。增加点体积仍然是抑制俄歇重组的最有效方法。我们预测，通过使用嵌入厚壳中的棒状磁芯来增加磁芯体积，可以在10 nm CQD中实现俄歇重组的4倍抑制。
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更新日期：2016-09-29
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