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具有三维编织结构的Cu2Se@C薄膜作为增强Cu2+存储的阴极材料
Chinese Chemical Letters ( IF 9.4 ) Pub Date : 2023-06-18 , DOI: 10.1016/j.cclet.2023.108698 Wenhao Chen , Muxuan Wu , Han Chen , Lue Mo , Yirong Zhu
Chinese Chemical Letters ( IF 9.4 ) Pub Date : 2023-06-18 , DOI: 10.1016/j.cclet.2023.108698 Wenhao Chen , Muxuan Wu , Han Chen , Lue Mo , Yirong Zhu
面对全球气候环境变化带来的多重挑战,发展清洁能源、更新绿色储能设备是实现碳达峰和碳中和的重要途径。水系电池由于具有使用多价电荷载体、高离子电导率、环境友好和成本效益等优点而成为研究热点。在这项工作中,首次通过简单的电化学沉积方法制备了具有三维编织结构的CuSe@C(CuSe涂覆在碳布上)薄膜用于Cu存储。与商用CuSe粉末相比,精心设计的CuSe@C薄膜表现出更高的比容量(0.5 A/g下为640 mAh/g)和倍率性能(5 A/g下为542 mAh/g)以及优异的循环稳定性(1 A/g 循环 1000 次后容量保持率为 82.7%)。 CuSe@C电极的Cu存储机制基于CuSe↔CuSe↔CuSe↔CuSe的可逆相变过程。在动力学特性分析中,由于相变和晶面间距的变化,CuSe@C电极在放电过程中表现出比充电过程更快的Cu扩散。这项工作突出了一种简便的一体式设计策略,并为探索先进的水储能系统开辟了新的途径。
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更新日期:2023-06-18
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