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使用栅堆叠双金属 (DM) 纳米线 (NW) FET (4H-SiC) 改进基于高频线性度的应用的模拟和交流性能
Microsystem Technologies ( IF 1.6 ) Pub Date : 2023-06-10 , DOI: 10.1007/s00542-023-05480-3
Neeraj Neeraj , Shobha Sharma , Anubha Goel , Sonam Rewari , R. S. Gupta

在这份手稿中,模拟/射频性能、线性度、谐波失真、小信号交流性能和栅极堆叠 DM 纳米线 (NW) FET(4H-碳化硅)的散射参数(S 参数)指标已通过纳米线场进行严格检查效应晶体管(NW FET)(硅)、纳米线(NW)场效应晶体管(FET)(碳化硅)和双金属(DM)纳米线场效应晶体管(NW FET)(碳化硅)。为了公平比较,电气特性,如多数和少数电荷载流子浓度、能量和速度在 ON 状态 (V gs  = V ds  = 1.0 V) 和 OFF 状态 (V gs  = 0.0 V 和 V ds = 1.0 V)进行了评估。本文结合了具有高 k栅叠层 HfO 2 (氧化铪)和 Al 2 O 3(氧化铝)的电介质材料的优点,以获得优异的 I on / I off比、固有增益(g m /g d )、GFP(增益频率积)、GBWP(增益带宽积)、TFP(跨导频率积)、GTFP(增益跨导频率积)、早期电压(V ea )、最大振荡频率(f max ) g m2、克立方米(高阶跨导)、UPG(单向功率增益)、最大换能器功率增益和延迟。为了检查器件与 RFIC 应用的相关性,通过评估其多个品质因数(如 VIP 2、电压截取点 (VIP 3 )、三阶截取点 (IIP 3 )、1-dB 压缩点、三阶互调失真 (IMD 3 ), HD 2 , HD 3, 所有预期设备的谐波失真 (THD)。此外,还检查了散射参数以确认小信号性能。进一步推断,我们提出的器件分析展示了改进的电气和线性特性,所有这些因素都有助于其在高功率和高频实施中的使用。





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更新日期:2023-06-10
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