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基于 GeSbTe 和 ITO 牺牲层相变的光致薄膜转移工艺
Advanced Materials Interfaces ( IF 4.3 ) Pub Date : 2023-06-08 , DOI: 10.1002/admi.202300101 Sang Yoon Park 1 , Min Kyoo Kim 1 , Jeong Hyeon Kim 1 , Han Eol Lee 1
Advanced Materials Interfaces ( IF 4.3 ) Pub Date : 2023-06-08 , DOI: 10.1002/admi.202300101 Sang Yoon Park 1 , Min Kyoo Kim 1 , Jeong Hyeon Kim 1 , Han Eol Lee 1
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在即将到来的无处不在的时代，可穿戴/柔性电子产品成为人们关注的焦点，以实时获取各种类型的大量信息。一些研究人员研究了柔性材料，并开发了多种薄膜转移方法。然而，由于材料本身的不稳定性和生产良率较低，存在一些局限性。这里，报道了利用牺牲材料中相变的新转移机制的光诱导薄膜转移方法。通过理论计算和实验对高能激光的剥离条件进行了精心优化，以最大限度地减少上部薄膜器件的机械/热损伤。通过将准分子激光照射到牺牲层表面，将选定的厚度为 300 nm 的 GeSbTe (GST) 和氧化铟锡 (ITO) 牺牲材料从透明刚性玻璃基板上剥离。通过各种材料表面分析可以了解 GST 和 ITO 薄膜的激光剥离机制。最终，通过光诱导剥离工艺成功演示了柔性氧化物薄膜晶体管（TFT），展示了所开发的转移技术在未来实际应用中的可用性。
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更新日期：2023-06-08
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