<br>柔性基板上单层 MoS2 的应变弛豫,RSC Advances

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柔性基板上单层 MoS2 的应变弛豫
RSC Advances ( IF 3.9 ) Pub Date : 2023-05-31 , DOI: 10.1039/d3ra01381b
Nilanjan Basu _{1,

2} , Ravindra Kumar _{1,

2} , D Manikandan _{1,

2,

3} , Madhura Ghosh Dastidar _{1,

2,

4} , Praveen Hedge _{1,

4} , Pramoda K Nayak _{1,

2,

3,

5} , Vidya Praveen Bhallamudi _{1,

4}

Affiliation

在本次交流中，我们证明了单层 (1L) MoS ₂中的单轴应变弛豫通过单晶粒和双晶粒薄片中的裂纹发生。化学气相沉积 (CVD) 生长的 1L MoS ₂已转移到聚对苯二甲酸乙二醇酯 (PET) 和聚二甲基硅氧烷 (PDMS) 基板上，用于低应变 (∼1%) 和高应变 (1–6%) 测量。拉曼光谱和光致发光 (PL) 光谱均显示，在 4-6% 的应变范围内，裂纹会导致应变弛豫。原位光学显微照片显示沿应变轴形成了大微米级裂纹，异位原子力显微镜 (AFM) 图像显示由于应变松弛而形成了较小的横向裂纹。有限元模拟已用于估计施加的应变效率以及模拟MoS ₂薄片的应变分布。本研究揭示了1L MoS ₂中的单轴应变弛豫机制，并为探索其他过渡金属二硫属化物（TMDC）及其异质结构中的应变弛豫铺平了道路。

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更新日期：2023-05-31

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