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ZnGeP2 脉冲内差频产生用于高频太赫兹辐射产生
Scientific Reports ( IF 3.8 ) Pub Date : 2023-05-19 , DOI: 10.1038/s41598-023-35131-6
B N Carnio 1, 2 , M Zhang 2 , K T Zawilski 3 , P G Schunemann 3 , O Moutanabbir 1 , A Y Elezzabi 2
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高度非线性的黄铜矿晶体系列在中红外光谱范围内作为源晶体取得了显着的成功,因此这些晶体是产生高太赫兹频率(即 \(\gtrsim\) 10 THz)电场的主要候选通过在黄铜矿 (110) ZnGeP 2中产生脉冲内差频产生相位分辨太赫兹电场脉冲晶体,相位匹配由具有沿普通和异常晶轴偏振的激发电场脉冲满足。虽然在 24.5 THz 的频率下观察到最大光谱功率(与脉冲内相位匹配计算一致),但发电仍然发生在 23-30 THz 的宽光谱范围内。据我们所知,这是第一次将黄铜矿 ZnGeP 2晶体用于相位分辨高频太赫兹电场的产生。





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更新日期:2023-05-20
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